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一、產品介紹：
CIF推出RIE反應離子刻蝕機，采用RIE反應離子誘導激發方式，實現對材料表面各向異性的微結構刻蝕。特別適合于大學，科研院所、微電子、半導體企業實驗室進行介質刻蝕、硅刻蝕、金屬刻蝕等方面研究。使用成本低，性價比高，易維護，處理快速高效。適用于所有的基材及復雜的幾何構形進行RIE反應離子刻蝕。具體包括：
u 介電材料（SiO2、SiNx等）
u 硅基材料（Si，a-Si，poly Si）
u III-V材料（GaAs、InP、GaN等）
u 濺射金屬（Au、Pt、Ti、Ta、W等）
u 類金剛石（DLC）
二、產品特點
u 7寸彩色觸摸屏互動操作界面，圖形化用戶操作界面顯示，自動監測工藝參數狀態，20個配方程序，可存儲、輸出、追溯工藝數據，機器運行、停止提示。
u PLC工控機控制整個清洗過程，手動、自動兩種工作模式。
u 真空艙體、全真空管路系統采用316不銹鋼材質，耐腐蝕無污染。
u 采用防腐數字流量計，實現對氣體輸入精準控制。標配雙路氣體輸送系統，可選多氣路氣體輸送系統，氣體分配均勻。可輸入氧氣、氬氣、氮氣、四氟化碳、氫氣或混合氣等氣體。
u 采用花灑式多孔進氣方式，改變傳統等離子清洗機單孔進氣不均勻問題。
u HEPA高效過濾，氣體返填吹掃，防止二次污染。
u 符合人體功能學的60度傾角操作界面設計，操作方便，界面友好。
u 采用頂置真空倉，上開蓋設計，下壓式鉸鏈開關方式。
u 上置式360度水平取放樣品設計，符合人體功能學，操作更方便。
u 有效處理面積大，可處理直徑200mm晶元硅片。
u 安全保護，倉門打開，自動關閉電源。
三、技術參數
型號 | RIE200 | RIE200plus |
艙體內尺寸 | H38xΦ260mm | H38xΦ260mm |
艙體容積 | 2L | 2L |
射頻電源 | 40KHz | 13.56MHz |
電極 | 不銹鋼氣浴RIE電極，Φ200mm | 不銹鋼氣浴RIE電極，Φ200mm |
匹配器 | 自動匹配 | 自動匹配 |
刻蝕方式 | RIE | RIE |
射頻功率 | 10-300W可調（可選10-1000W） | 10-300W可調（可選10-600W） |
氣體控制 | 質量流量計（MFC）（標配雙路，可選多路）流量范圍0-500SCCM（可調） | |
工藝氣體 | Ar、N?、O?、H?、CF4、CF4+ H2、CHF3或其他混合氣體等（可選） | |
處理尺寸 | ≤Φ200mm | |
時間設定 | 1-99分59秒 | |
真空泵 | 抽速約8m3/h | |
氣體穩定時間 | 1分鐘 | |
極限真空 | ≤1Pa | |
電源 | AC220V 50-60Hz，所有配線符合《低壓配電設計規范GB50054-95》、《低壓配電裝置及線路設計規范》等國標標準相關規定。 | |
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