Plasma Process Cluster 多腔等離子體工藝系統(tǒng)

簡(jiǎn)要描述：l方案是適用于8吋晶圓的多腔等離子體沉積/刻蝕工藝系統(tǒng)l系統(tǒng)可用于研發(fā)和小批量生產(chǎn)l系統(tǒng)兼容8吋、6吋、4吋、3吋晶圓和不規(guī)則碎片

基礎(chǔ)信息

產(chǎn)品型號(hào)

廠商性質(zhì)

代理商

更新時(shí)間

2024-10-22

瀏覽次數(shù)

299

產(chǎn)品分類(lèi)

PRODUCT CLASSIFICATION

相關(guān)文章

詳細(xì)介紹

l 方案是適用于 8 吋晶圓的多腔等離子體沉積/刻蝕工藝系統(tǒng)

l 系統(tǒng)可用于研發(fā)和小批量生產(chǎn)

l 系統(tǒng)兼容 8 吋、6 吋、4 吋、3 吋晶圓和不規(guī)則碎片；不同尺寸樣片之間的切換、無(wú)需反應(yīng)腔的開(kāi)腔破真空

l 系統(tǒng)包括：

一個(gè)六端口的轉(zhuǎn)接腔、帶機(jī)械手

六個(gè)端口分別連接：

（1）一個(gè) ALE 刻蝕腔模塊：用于 Al2O3, AlGaN, GaN 等的原子層刻蝕

（2）一個(gè)ICPECVD 沉積腔模塊：用于沉積氧化硅、氮化硅、氮氧硅等介質(zhì)膜

（3）一個(gè)低溫 ICP-RIE 刻蝕腔模塊：配氟基氣體，主要用于低溫深硅刻蝕、常溫鍺刻蝕等

（4）一個(gè) loadlock 預(yù)真空室模塊：用于單片樣品的手動(dòng)送樣

（5）一個(gè)真空片盒站模塊：用于多片片盒的自動(dòng)送樣

（6）一個(gè)端口備用，未來(lái)可升級(jí)增加 1 個(gè)刻蝕或沉積反應(yīng)腔模塊

在線留言

簡(jiǎn)要描述：l方案是適用于8吋晶圓的多腔等離子體沉積/刻蝕工藝系統(tǒng)l系統(tǒng)可用于研發(fā)和小批量生產(chǎn)l系統(tǒng)兼容8吋、6吋、4吋、3吋晶圓和不規(guī)則碎片